Русский I English    

Внимание, конкурс!

Программа "УМНИК"...

    Все события
 
 
 
 
 
 
О нас
Продукция
Патенты и сертификаты
Контакты
Главная > Исследования и разработки > Оптоэлектронный транзистор

Оптоэлектронный транзистор, работающий в террагерцовом диапазоне длин волн

В настоящее время крайне актуальной задачей в современной нано- и микроэлектронике является разработка элементной базы, позволившей бы создание компьютеров нового поколения. В этой связи активно ведутся исследования в области создания одноэлектонных транзистроров[1], спиновых транзисторов[2], элементов на основе органических материалов и др.

Цель проекта заключается в экспериментальной реализации оптоэлектронного транзистора, представляющего собой прибор на основе высокотемпературных сверхпроводящих кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа – сверхузких кремниевых квантовых ям р-типа, ограниченных δ-барьерами, сильно легированными бором. Данный прибор может быть использован как в составе элементной базы наноэлектроники, так и в лабораториях высших технических учебных заведений в качестве сравнительно недорогого объекта исследований эффектов Джозефсона в низкоразмерных системах.

Разрабатываемый оптоэлектронный транзистор будет работать в терагерцевом диапазоне длин волн, с рабочими характеристиками в области высоких температур в отсутствие сильных магнитных полей. Явным преимуществом такого транзистора является его относительно низкая себестоимость, благодаря использованию планарной кремниевой диффузионной нанотехнологии.

Исследования генерации электромагнитного излучения в таких транзисторах, состоящих из сверхузких кремниевых квантовых ям р-типа, ограниченных сверхпроводящими δ-барьерами, сильно легированными бором, в дальнейшем могут быть использованы в разработке полупроводниковых источников СВЧ и терагерцевого излучения, востребованных на данный момент в медицине.

Литература

[1] Bagraev N T, Bouravleuv A D, Klyachkin L E, Malyarenko A M, Gehlhoff W, Ivanov V K and Shelykh I A 2002 Semiconductors 36 439-460.

[2] Y. K. Kato, R. C. Myers, A. C. Gossard, D. D. Awschalom Science, 10 December (2004) v.306, p. 1910-1913.